Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования (31.08.2009)

Автор: Зебрев Геннадий Иванович

Зебрев Г.И. Моделирование эффекта низкой интенсивности в толстых окислах интегральных структур// ВАНТ. – в. 1-2. – 2005.

Зебрев Г. И. Моделирование эффекта низкой интенсивности в толстых изолирующих слоях современных интегральных схем // Микроэлектроника. - 2006. – Т. 35. - №3. – С. 209-216.

Zebrev G.I., Pavlov D.Y. Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irradiation Temperatures and Electric Biases // European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2005 Proceedings. – 2006. – PG4-1 - PG4-6.

Zebrev G.I., Pavlov D.Y. Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irradiation Temperatures and Electric Biases // IEEE Transactions on Nucl. Sci. – 2006. – V.53. - №4. – P. 1981-1987.

Зебрев Г.И., Анашин В.С. Усиление деградации электронных компонентов при низкоинтенсивном излучении космического пространства как эффект мощности дозы // ВАНТ. – 2009. – В.2. – С. 15-22.

Экспериментальный метод прямого определения характеристик стойкости к одиночным радиационным эффектам с использованием ускорительного комплекса / В.С Анашин., Ю.Е. Титаренко, Н.Н Алексеев, В.Ф. Батяев, А.А. Голубев, Б.Ю. Шарков, В.А. Стебельков, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов // ВАНТ. – В. 3-4. – 2007.

Прямой контроль стойкости электронной компонентной базы к ионизирующим излучениям космического пространства в части одиночных радиационных эффектов. Методологические аспекты" / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Ю.Е. Титаренко " // Российская научно-техническая конференция "Элементная база космических систем" (Элементная база-2007), МНТОРЭС им. А.С. Попова. Тезисы докладов конференции – Сочи, сентябрь 2007г.

Развитие информационных, методологических и структурно-технологических аспектов обеспечения стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к ионизирующим излучениям космического пространства / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Ю.Е. Титаренко // Международная конференция "Авиация и космонавтика-2007". Тезисы докладов– М.: МАИ. - 2007.

Accelerator Based Facility for Characterization of Single Event Upsets (SEU) and Latchups (SEL) in Digital Electronic Components // V.S. Anashin, V.V. Emelyanov, G.I. Zebrev, I.O. Ishutin, N.V. Kuznetsov, B.Yu. Sharkov, Yu.A. Titarenko, V.F. Batyaev, S.P. Borovlev // A report at International Conference on Micro- and Nanoelectronics, October 2007, Zvenigorod, Russia.

Проблемы проведения испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию одиночных частиц космического пространства / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Б.Ю. Шарков, Н.Н. Алексеев, Ю.Е. Титаренко, В.Ф. Батяев, Р.С. Тихонов, С.П. Боровлев, В.И. Рогов, М.А. Бутко, В. К. Павлов, А.Ю. Титаренко // ВАНТ. – В. 1. – 2008.

Программное обеспечение испытаний стойкости электронной компонентной базы к одиночным эффектам от воздействия естественных ионизирующих излучений космического пространства / В.С. Анашин, Н.В. Кузнецов, Г.И. Зебрев, И.О. Ишутин, А.Н. Петров // Тр. Пятой  международной научно-практической конференции “Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности”. –Т.13. – 2008.

Исследование влияния схемотехнических параметров статической КМОП-ячейки памяти на стойкость к воздействию одиночных частиц ионизирующих излучений/ Е.А. Гагарин, В.Е. Шунков, Г.И. Зебрев. – Труды Научной сессии МИФИ. – Т.1. -2006. – С. 73-74.

Physical Modeling and Circuit Simulation of Hardness of SOI Transistors and Circuits for Space Applications / G. I. Zebrev, M.S. Gorbunov, V.E. Shunkov. - RADECS Proceed. - 2006.

Parasitic bipolar effect in modern SOI CMOS technologies / G.I. Zebrev, V.E. Shunkov, M.S. Gorbunov // Proceedings SPIE.– 2008.- Vol. 7025. – P. 702516 -702516-8.

Зебрев Г.И. Расчет интенсивности единичных сбоев от тяжелых заряженных частиц космического пространства// ВАНТ. – В.4. – 2002. -С. 95 – 98.

Zebrev G.I., Ladanov I.A. PRIVET-A Heavy Ion Induced Single Event Upset Rate Simulator in Space Environment // European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2005 Proceedings. – 2006. – PC13-1 – PC13-5.

PRIVET – Simulator Single Event Upset Rate in Digital Memory Cells Induced by Heavy Ions of Space Environments // G.I. Zebrev, I.O. Ishutin, V.S. Anashin/ A report at International Conference on Micro- and Nanoelectronics, October 2007, Zvenigorod, Russia.

Зебрев Г.И. Метод оценки сечения нейтронно-индуцированных жестких отказов в ячейках КМОП-памяти // ВАНТ.– В. 1-2. – 2005

Зебрев Г. И. Моделирование ионизационного воздействия нейтронов на элементы КМОП-технологий высокой степени интеграции // Микроэлектроника. - 2006. – Т. 35. - №3. – С. 217-229.

Useinov R.G., Zebrev G.I. Physical Model of Single Heavy Ion Induced Hard Errors // 7th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2003 Proceedings. – 2003. – P. 249-254.

Усейнов Р.Г., Зебрев Г.И., Физическая модель жестких ошибок, обусловленных тяжелыми заряженными частицами в ИС памяти, Труды Научной сессии МИФИ. - 2004 - Т.1. - С. 80-81.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Pershenkov V.S. Radiation Induced Leakage Due to Stochastic Charge Trapping in Isolation Layers of Nanoscale MOSFETs // Proceedings SPIE. – 2008. - Vol. 7025. – P. 702517-702517-8.

Схемотехническое моделирование окон защелки в КМОП структурах под воздействием импульсного излучения при различных температурах / Г.И. Зебрев, Р.Г. Усейнов, М.Ю. Федоренко // Сборник тезисов Российской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость-2008». –В.11. – 2008.- С. 39-40.

Схемотехническое моделирование радиационно-индуцированной защелки в КМОП микросхемах при воздействии одиночных тяжелых ионов или импульсного излучения / Г.И. Зебрев, Р.Г. Усейнов, М.Ю. Федоренко // ВАНТ.– В. 2. – 2009. – С. 10-14.

Симулятор ЛПЭ спектра

для заданной орбиты

и защиты (COSRAD)

схемотехническое

моделирование

Эксперимент:

- сечение насыщения;

- пороговое ЛПЭ

ЛПЭ спектр

для заданной орбиты

симулятор

Интенсивность сбоев

для заданной орбиты

защиты и

технологии

Критический заряд


загрузка...