Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников (31.05.2010)

Автор: Бобринецкий Иван Иванович

Бобринецкий Иван Иванович

физико-технологические основы создания

функциональных элементов наноэлектроники

на основе квазиодномерных проводников

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника,

приборы на квантовых эффектах

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени

доктора технических наук

Москва – 2010

Работа выполнена в научно-образовательном центре «Зондовая микроскопия и нанотехнология» Московского государственного института электронной техники (технического университета)

Научный консультант: - доктор физико-математических наук,

профессор,

Неволин Владимир Кириллович

Официальные оппоненты:

- доктор технических наук, доцент,

Агеев Олег Алексеевич

- доктор физико-математических наук,

ведущий научный сотрудник,

Ильичёв Эдуард Анатольевич

- доктор технических наук, профессор,

Шевяков Василий Иванович

Ведущая организация:

Учреждение Российской академии наук

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН

Защита состоится "30" сентября 2010 года

в ___ часов ___ минут на заседании диссертационного совета Д.212.134.01 при Московском государственном институте

электронной техники (техническом университете) по адресу:

124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д.5

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ

Автореферат разослан "___" _______________ 2010 года

Ученый секретарь

диссертационного совета:

доктор технических наук, доцент Крупкина Т.Ю.

Общая характеристика работы

Актуальность работы

Технологии современной электронной промышленности вплотную подошли к предельным размерам твёрдотельных активных элементов. Дальнейшие перспективы традиционной технологии связаны только с уходом в область нанолитографии, при этом размеры функциональных структур становятся сравнимыми с размерами атомных кластеров. Решение данной задачи приводит разработчиков к совмещению традиционной технологии с новыми методами и материалами.

В последние годы наиболее бурно развивается направление, основанное на создании и использовании в качестве активных элементов электроники квазиодномерных проводников (проводников, диаметр сечения которых составляет несколько нанометров и менее), которые являются следствием уменьшения поперечных размеров структур в традиционной микроэлектронике.

Необходимость разработки и исследования физических принципов и создания технологических основ формирования структур на основе низкоразмерных проводников, всестороннего изучения параметров функционирования, а также усовершенствования методов зондовой микроскопии для исследования объектов наноэлектроники при решении более широкого круга задач определяет актуальность данной диссертационной работы.

Цель работы и задачи


загрузка...