Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с тунельно-тонким диэлектриком (TI) (22.08.2011)

Автор: Кашерининов Петр Георгиевич

-светоуправляемый оптический затвор,

-фотодетектор с оптически управляемой областью фоточувствительности,

-оптоэлектронный коррелятор изображений некогерентного света.

Список публикаций по теме диссертации:

К1 П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, Л.В.Маслова. Исследование емкостных характеристик n-p переходов на CdTe. ФТП, 3, 4, 531-534 (1969).

К2. В.П.Иванова, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Емкость n-p переходов на компенсированном CdTe. ФТП, 3, 7, (1969).

К3. А.П.Богомазов, В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, Р.С.Стецюк. Электрические свойства поверхностно-барьерных n-p переходов на высокоомном CdTe. ФТП, 4, 5 (1970).

К4. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотопамять поверхностно- барьерных переходов на CdTe.. ФТП, 4, 5, 937-940 (1970).

К5. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Глубокие примесные уровни в кристаллах CdTe. ФТП, 4, 9, 1740-1744 (1970).

К6 В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотоэлектретный эффект на полупроводниковых материалах. ФТП, 5, 1, 62-60 (1971).

К7 В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Память фототоков n-p структур с глубокими центрами на CdTe к действию облучения. ФТП, 5, 7,1458-1460 (1971).

К8 Г.Д.Дмитриев, В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотоэлектретный эффект на низкоомных кристаллах CdTe при облучении ?-квантами Co60. ФТП, 5, 12, (1971).

К9. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Поляризация n-p переходов на Ge под действием ?-облучения. ФТП, 6, 2 (1972).

К10. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, Л.Л.Маковский, О.А.Матвеев. Поляризация слоя объемного заряда n-p (n-i- p) детекторов при облучении. ФТП, 6, 2 (1972).

К11. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов Определение параметров примесных центров методом перезарядки их электромагнитным излучением. ФТП, 7, 10, 1901-1907 (1973).

К12. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Термическая диссоциация комплексов в полупроводниковых материалах. ФТП,8, 3, 623-616 (1974).

К13. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Образование ассоциации мелкий донор- глубокий акцептор в германии. ФТП,8 3, 799-900 (1974).

К14 С.И.Затолока, П.Г. Кашерининов, О.А.Матвеев, Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов. Природа низкотемпературной диссоциации комплексов в полупроводниковых материалах. ФТП ,9. 3, 580-583 (1975)

К15. С.И.Затолока, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов. Влияние электрического поля на процесс объединения разноименно заряженных примесей в комплексы. . ФТП,9, 3,580-583 (1975).

К16. Л.Г.Забелина,В.П.Крепкая, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Медь и кислород в кристаллах фосфида галлия, Электронная тех.сер.4,Электровакуумные и газоразрядные приборы, в.2 стр. 84-87 (1976).

К17. С.И.Затолока, П.Г.Кашерининов, В.П.Карпенко О.А.Матвеев, Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов Определение ширины области поля в полупроводниковых кристаллах ФТП 13, 9, 1681-1687 (1979).

К18. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев Д.Г.Матюхин Определение произведения (??) в полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия. ФТП 13, 7, 1288-1292 (1979).

К19.П.Г.Кашерининов, Д.Г.Матюхин. Объемные поляризационные заряды в полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия. ФТП 14, 5, 874-881 (1980).

К20.П.Г.Кашерининов, Д.Г.Матюхин, В.А.Сладкова, Природа нелинейности люксамперных характеристик МПМ структур на полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия .ФТП 14, 7,1293-1300 (1980).

К21 П.Г.Кашерининов, В.А.Сладкова. Природа отрицательной проводимости (ИК гашения) в высокоомных полупроводниковых кристаллах. ФТП 14, 9,1739-1746. (1980).

К22. П.Г.Кашерининов. Особенности распределения напряженности электрических полей в детекторах на основе МПМ (МДПДМ) структур при регистрации излучения. ФТП 15,10,1888-1894 (1981)

К23.А.А.Томасов, О.А.Матвеев, П.Г.Кашерининов. Влияние эффекта обратной диффузии носителей заряда на энергетический спектр мягкого рентгеновского излучения в полупроводниковых детекторах. ФТП 15, 11,2097-2102. (1981)

К24. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, Ю.Н Перепелицын, Ю.О.Семенов, И.Д.Ярошецкий.

Светоуправляемые оптические элементы для оптической обработки информации и ВОЛС. Электросвязь, 10, 37-39 (1990).

К25. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, Ю.Н.Перепелицын, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с фоточувствительным распределением электрического поля и оптоэлектронные приборы на их основе.

Часть I C-.Пб: Препринт ФТИ-1569. 1991 59стр

Часть II C-.Пб: Препринт ФТИ-1570. 1991 62стр

К26. P.G.Kasherininov, A. V.Kichaev and other. Photon switchers based on nonlinear electric field redistribution. SPIE Proceedings, Nonlinear Optics II-1992-v.1626 p. 66-72. (1992)

К27. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, С.Л.Кузьмин, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Светоуправляемые оптические коммутационные приборы на высокоомных полупроводниковых структурах. Письма в ЖТФ,19,9, 55-58 (1993).

К28. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев , И.Д.Ярошецкий. Распределение напряженности электрического поля в высокоомных М(ТД)П(ТД)М структурах при освещении. Письма в ЖТФ,19,17,48-53 (1993).

К29. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, С.Л.Кузьмин, М.М.Мездрогина, И.Д.Ярошецкий. Быстрые нелинейные ортические среды на гетероструктурах электрооптический-неэлектрооптический кристалл (CdTe-? Si). . Письма в ЖТФ, 19,9,47-50 (1993).

К30. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Полупроводниковый фотоприемник со светоуправляемой фоточувствительной областью. Письма в ЖТФ,19,9, 51-54 (1993).

К31. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, А.А.Томасов, И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в структурах с границей раздела полупроволник-тонкий слой диэлектрика на высокоомных “чистых “кристаллах. Письма в ЖТФ, 20,18, 16-21 (1994).

К32 П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев , И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в высокоомных структурах с границей раздела полупроволник-тонкий слой диэлектрика на высокоомных компенсированных кристаллах. ЖТФ, 65,8 (1995.

К33. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, А.А.Томасов. Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник-металл. ФТП, 29,11, 2092-2107 (1995)


загрузка...