Поведение квантово-размерных наноструктур в электрическом и магнитном полях (15.02.2010)

Автор: Капуткина Наталия Ефимовна

; расстояние между центрами квантовых точек d = 540 нм для электрона, d = 320 нм для экситона.

Рис.18. Зависимость критической температуры Tc от магнитного поля B.

?' = 100

?' = 10

m = –3, n = 0

m = –2, n = 0

m = –1, n = 0

в обеих КТ.

для обеих КТ.

Экситон

Электрон

0 0,1 0,2 B

m =0, n =0

для двухэлектронных "шаровых" КТ с трехмерным удерживающим потенциалом.

0 0,1 0,2 B

0 0,1 0,2 B

0 0,1 0,2 B

удерживающего потенциала.

0 5 10 15 20 B

Рис.29. Изменение симметрии формы импульса: а – частотная зависимость действительной части коэффициента отражения в моменты времени t1 (пунктир) и t2 (сплошная линия); б – изменение формы импульса при отражении: пунктир - исходный импульс; сплошная линия - отраженный импульс при частотно-временной зависимости коэффициента отражения, соответствующей a.

Рис.12. Зависимости эффективной массы магнитоэкситона:

(а) от межслоевого расстояния d при фиксированной толщине слоев D=1 для разных значений магнитного поля (кривая 1 соответствует B=2.5; кривая 2 соответствует B=3.0; кривая 3 соответствует B=3.5);

(б) от магнитного поля при фиксированной суммарной толщине слоев D+d =1,8 для разных значений межслоевого расстояния d и D (кривая 1 соответствует d = 1,2; D = 0,6; кривая 2 соответствует D = d = 0,9; кривая 3 соответствует d = 0,55; D = 1,25);

(в) от магнитного поля при фиксированной толщине слоев D=0.6 для разных значений межслоевого расстояния d (кривая 1 соответствует d = 0,3; кривая 2 соответствует d = 0,6; кривая 3 соответствует d = 1,2).

0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 d

5 6 7 8 9 10 11 12 B

4 6 8 10 12 14 16 B

Рис. 17. Зависимость критической температуры от параметра конфайнмента (’ при фиксированном значении магнитного поля B=10 усл. ед.

усл.ед.

усл.ед.

в обеих КТ.

для обеих КТ.

Рис.27. Преобразование прямоугольного импульса в треугольный при отражении: а – зависимость действительной части коэффициента отражения от частоты; б – изменение формы импульса: пунктир - исходный импульс; сплошная и штриховая линии - отраженный импульс при коэффициенте отражения соответствующем а.

0 2 4 6 8 ?2 0 0,5 1 1,5 d

m=1, n=0

m=0, n=0


загрузка...